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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB095B-60
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
?Land size figure(Unit : mm)
General rectification
?Features
1) Power mold type. (CPD3)
2) Low VF
3) High reliability
?Construction
?Structure
Silicon epitaxial planar
?Taping dimensions(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25?C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive peak) 60VRM
V
Reverse voltage (DC) 60VR
V
Average rectified forward current (*1) 6Io A
IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristic (Ta=25?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF
- - 0.58 V
IF=3.0A
Reverse current
IR
- - 300
μA
VR=60V
Thermal impedance
?jc
- - 6.0
?C/W
junction to case
Conditions
Parameter
Forward current surge peak(60Hz?1cyc)(*1)
45
Parameter
(*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=112?C
Storage temperature
?40 to ?150
(1)
(2)
(3)
CPD
1.6
2.3
2.3
1.6
3.0
2.0
6.0
6.0
6.8±0.1
8.0±0.1
2.0±0.05
4.0±0.1
φ1.55±0.1
　　　　　 0
7.5±0.05
2.5±0.1
16.0±0.2
2.7±0.2
φ3.0±0.1
10.1±0.1
0.4±0.1
13.5±0.2
8.0±0.1
0～0.5
10.1±0.1
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